Hynix Semiconductor, hãng sản xuất hàng đầu về bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) vừa cho công bố việc phát triển thành công 2Gb DDR4 DRAM và DDR4 DRAM dựa trên 2GB ECC-SODIMM với quy trình công nghệ 30nm hàng đầu.

Các sản phẩm DRAM DDR4 đáp ứng tiêu chuẩn JEDEC và được thiết kế cho khả năng làm việc với các module máy chủ nhỏ.

Ngài Ji-Bum Kim, giám đốc marketing của Hynix cho biết: “Với sản phẩm này, Hynix có thể cung cấp giải pháp an toàn cho khách hàng không chỉ trong thị trường PC và máy chủ mà còn có thể hỗ trợ cho thị trường tablet”.

Thiết bị hoạt động ở tốc độ nhanh nhất của ngành công nghiệp hiện nay là 2400 MHz (2400 Mb/s) và cũng là nhanh hơn 80% so với sản phẩm DDR3 1333MHz. Module sản phẩm này hoạt oddojng ở mức điện áp thấp, 1.2V, và băng thông dữ liệu lên đến 19.2 GB/s với 64-bit I/O.

Hynix có kế hoạch bắt đầu sản xuất lô hành DDR4 hiệu suất cao đầu tiên trong nửa cuối năm 2012.

Theo hãng nghiên cứu thị trường iSuppli thì một phần của DDR4 DRAM dự kiến sẽ tăng từ 5% trong năm 2012 lên đến hơn 50% vào năm 2013 và sẽ trở thành chủ đạo trên thị trường vào năm 2015. Trong khi nhu cầu DDR3 DRAM sẽ đạt đỉnh điểm vào năm 2012 với 71% thị phần và cuối cùng sẽ giảm xuống còn 49% vào năm 2014.

Theo XHTT