Năm ngoái, Samsung đã giới thiệu một công nghệ bộ nhớ mới có tên Z-NAND với mục tiêu lấp đi khoảng trống giữa DRAM và SSD - một hướng đi tương tự Intel 3D Xpoint. Và hôm nay, sản phẩm thương mại đầu tiên tại triển lãm Cloud Expo EU có tên Z-SSD dưới form card add-in dùng giao tiếp PCIe và hỗ trợ giao thức NVMe. Samsung gọi đây là bộ nhớ có độ trễ siêu thấp.
Thông tin chi tiết về công nghệ Z-NAND chưa được tiết lộ, khả năng vẫn là NAND nhưng được thiết kế khác biệt nhằm phát huy các ưu điểm của công nghệ NAND. Chưa rõ bên trong Z-NAND sẽ như thế nào nhưng một số nhà phân tích cho rằng đây có thể là công nghệ 3D-NAND/V-NAND chạy ở chế độ SLC (Single level cell) từ đó mang lại hiệu năng cao hơn.
Những chiếc ổ Z-SSD đầu tiên sẽ được chuyển đến tay những người dùng được chọn, dung lượng sẽ là 800 GB, form ổ HLHL PCIe 3.0x4. Tốc độ đọc/ghi tuần tự của ổ này tối đa vào khoảng 3,2 GB/s trong khi tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên tối đa lần lượt là 750K và 160K IOPS. Độ trễ được Samsung nhắc đến, khả năng là độ trễ khi đọc sẽ thấp hơn 70% so vơi các loại ổ SSD dùng giao thức NVMe hiện có trên thị trường nhờ vào công nghệ Z-NAND và vi điều khiển mới. Nếu như dự đoán của giới chuyên gia về việc Z-NAND sẽ là V-NAND chạy SLC thì chúng ta hoàn toàn có thể kỳ vọng ổ Z-SSD sẽ có độ bền cao khi nó lưu trữ ít bit dữ liệu hơn trên mỗi cell nhớ so với các công nghệ NAND khác.
Một số nguồn tin cho hay Samsung đang chuẩn bị ra mắt các phiên bản dung lượng cao hơn như 1 TB, 2 TB và 4 TB dùng công nghệ Z-NAND. Tuy nhiên, đừng kỳ vọng Z-NAND sẽ sớm xuất hiện dưới dạng sản phẩm phổ thông bởi như Samsung so sánh về tốc độ đọc của Z-SSD với PM963 - dòng ổ NVMe dành cho doanh nghiệp thì Z-SSD sẽ hướng đến các hệ thống cần nhu cầu truy xuất rất lớn, chẳng hạn như các hệ thống phân tích dữ liệu theo thời gian thực.
tinhte.vn